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1200V65A40毫欧碳化硅功率MOSFETN通道增强模式适用于：太阳能逆变器电动汽车电机驱动高压DC/DC转换器开关模式电源负载开关
| 品牌： | CRee | 型号： | C3M0040120K |
|---|---|---|---|
| 封装： | TO-247 | 批号： | 23+ |
| FET类型： | N | 漏源电压（Vdss）： | 1200 |
| 漏极电流(Id)： | 65 | 漏源导通电阻(RDS On)： | 40mΩ |
| 工作温度范围： | -55 to 125 | 应用领域： | 新能源 |
1200V 65A 40毫欧 碳化硅功率MOSFET N通道增强模式
1200V 40MOHM SIC MOSFET
适用于：
太阳能逆变器
电动汽车电机驱动
高压DC/DC转换器
开关模式电源
负载开关
属性
参数值
制造商型号
C3M0040120K
制造商
CREE(科锐)
商品描述
1200V 40MOHM SIC MOSFET
包装
管件
系列
C3M?
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
66A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）
53.5 毫欧 33.3A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）
3.6V 9.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）
99 nC 15 V
Vgs（值）
+15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）
2900 pF 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（值）
326W（Tc）
工作温度
-40°C # 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-4
温度
-40°C # 175°C（TJ）
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|---|---|
| 电话 | 18706720755 |
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